2020.03.03
갈륨나이트라이드(GaN) 전력증폭(PA) 부품 업체 RFHIC가 올해 삼성전자 5세대(G) 통신장비에 GaN 제품 공급을 본격화한다. 삼성전자는 지난해 5G 통신장비 전력 증폭 부품에 실리콘(Si) 기반 트랜지스터를 사용한 것으로 전해졌다.
RFHIC 관계자는 3일 "올해는 삼성전자 매출비중이 가장 클 것"이라며 "지난해까지는 화웨이 매출 비중이 가장 컸다"고 말했다. "삼성전자의 올해 5G 통신장비에 GaN 제품이 큰 폭 적용될 것"이라고도 했다.
삼성전자는 지난해 출하한 5G 통신장비용 전력증폭(PA:Power Amplifier) 부품에 실리콘 기반 LDMOS 트랜지스터를 우선 적용했다. 우리나라는 작년 4월 세계에서 처음 5G 통신을 상용화했다. 초창기 5G 통신 장비에는 GaN 대비 상대적으로 사용역사가 긴 LDMOS를 우선 적용한 것으로 보인다.
GaN 트랜지스터는 LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor) 대비 전력효율이 10%포인트 높은 것으로 알려져 있다. 기존 전력증폭 부품은 LDMOS가 주류였고 이후 갈륨아스나이드(GaAs) 등이 경쟁소재로 떠올랐다. 소재에 따라 에너지 밴드갭이 달라진다. 에너지밴드갭이 넓을수록 일반적으로 더 높은 전압, 온도, 주파수에서 작동이 가능하다.
GaN의 밴드갭은 3eV 중반으로 와이드밴드갭(WBG, Wide Band Gap) 반도체에 속한다. 실리콘은 1eV 초반, GaAs는 1eV 중반이다. 보통 2eV이상을 WBG라고 한다.
RFHIC는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 위에 GaN을 쌓아 트랜지스터를 만든다. GaN 트랜지스터를 패키징한 전력증폭모듈까지 생산·공급하고 있다. SiC 웨이퍼를 대부분 미국 크리(Cree)에서 공급받아 GaN 트랜지스터를 외주제작하는 팹리스(fabless)업체다.
2018년 RFHIC의 매출액 절반(45%)은 중국 화웨이와 거래에서 발생했었다. 삼성전자 매출 비중은 17%였다. 미국과 중국의 무역분쟁으로 중국 화웨이는 미국 부품 비중을 줄이고 있는 것으로 전해졌다. 크리를 통해 대부분 GaN 제품을 만드는 RFHIC의 화웨이와 거래에도 부정적 영향을 끼칠 것으로 보인다. RFHIC는 "웨이퍼 공급 다변화를 위해 노력하고 있다"고 했다.
RFHIC는 지난해 1076억원 매출, 180억원 영업이익을 기록했다. 전년대비 매출은 소폭(0.44%) 감소했지만 영업이익은 30%이상 줄었다. 오승택 리딩투자증권 연구원은 지난달 5일 리포트에서 올해 RFHIC의 매출액이 작년보다 75% 늘어난 1886억원을 기록할 것으로 전망했다. 같은 기간 영업이익액은 작년대비 2배 이상 증가한 376억원으로 추정했다.
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[5G시대 GaN] 웨이비스, 국내 유일 RF GaN IDM
이종준 기자 승인 2020.03.24
올해 삼성전자 5G 통신장비에 GaN 제품을 본격 공급하는 RFHIC
무선(RF:Radio Frequency) 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터를 만드는 웨이비스는 지난해 12월 중소벤처기업부 주관 소재·부품·장비 '강소기업 100'에 선정됐다. 강소기업에는 5년간 최대 182억원이 지원된다.
웨이비스는 강소기업 선정 당시 "국내 유일 RF GaN 종합반도체업체(IDM:Integrated Device Manufacturer)"라며 "누적 250억원 이상의 연구·개발(R&D)과 인프라 투자를 통해 GaN RF 반도체 기술 국산화에 성공했다”고 했다.
IDM은 반도체 설계와 제조를 모두 하는 비즈니스 모델을 말한다. RF GaN 분야 선두업체인 일본 스미토모(SEDI:Sumitomo Electric Device Innovations)와 미국 울프스피드(WoolfSpeed), 코보(Qorvo) 등은 모두 IDM업체다.
웨이비스는 "2018년 세계 최고 제품과 동등 이상 성능을 확보한 S-밴드(2-4 GHz) GaN RF 반도체를 개발했다"며 "2019년 해당 제품의 신뢰성 검증을 완료했다"고도 했다. 웨이비스는 지난해 9월 누적 매출 50억원을 기록, 2019년 연간 매출액은 전년인 2018년 매출(51억원)을 뛰어 넘었을 것으로 보인다. 2017년 매출액은 23억원이었다.
2017년 5월 웨이비스는 반도체 장비·RF 부품업체 기가레인에서 물적분할돼 설립됐다. 2018년말 기준 김정곤 대표가 56% 지분을 보유했다. 웨이비스는 지난해 재무적투자자(FI:Financial investor)로부터 150억원어치 유상증자를 받은 것으로 전해졌다. 김 대표의 웨이비스 지분은 현재 2018년말보다 줄어들었을 것으로 보인다.
행정고시 17회 출신인 김정곤 대표는 2006년 기가레인을 인수했었다. 2017년 보유하고 있던 개인 지분 전량을 판뒤 현재는 김 대표 아들인 김현제 기가레인 전무가 실질 최대주주다. 기가레인의 최대주주는 지난해 3분기말 기준 21.6% 지분을 가진 케플러밸류파트너스다. 케플러벨류파트너스의 지분 100%를 록팰이 가지고 있고 록팰의 지분 40%가 김 전무 소유다.
RF GaN 팹리스(fabless) 업체 RFHIC는 올해 삼성전자 5G(세대 이동통신) 장비에 GaN 제품 공급을 본격화한다. 팹리스는 IDM과 달리 설계만 담당하고 실제 트랜지스터 제작은 파운드리(foundry)업체에 외주를 준다. RFHIC는 울프스피드의 GaN 트랜지스터 파운드리를 이용하고 있다. IDM은 팹을 활용해 파운드리사업까지 할 수 있다.
RFHIC의 최대 매출처가 지난해 중국 화웨이에서 올해 삼성전자로 바뀔 것으로 전망된다. 미국이 화웨이 제재에 나서면서 화웨이는 미국 관련 부품 채택을 줄이고 있기 때문이다. 화웨이는 RF GaN 제품 조달에서 일본 스미토모(SEDI) 비중을 늘리고 있는 것으로 알려졌다. 2018년 RHIC의 매출액 절반(45%)은 중국 화웨이와 거래에서 발생했었다. 삼성전자 매출 비중은 17%였다.
Tag#RFHIC#웨이비스
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ㅡ5G시대 GaN RF PA가 뜬다 군사용에서 시작
Rfpn (무선주파수 증폭)ㅡGaN제품쓸수 밖에
ㆍ칼륨나이트로 제조 5G시대
ㆍ실리콘으론 안돼.